主   旨

主題：

 錯離離子形狀

留言人：

 陳育鈞
留言日期： 2000/12/29
留言內容： 為何[Ni(CN)4]2－ 與[Cu(NH3)4]2＋ 之幾何形狀是四方平面而[Ni(NH3)4]2＋是四面體?有何理論學說可詳細完整並圓滿地解釋之.
目前回應文章

主題：

 錯離離子形狀
回應者：

台大化學系鄭淑芬教授 
回應日期： 2001/1/2
回應內容：
決定配位化合物的幾何形狀，有兩個因素需考慮，一為『晶場論』，另一為『VSEPR』。

不同幾何形狀產生的『晶場』會造成金屬中心的3d軌域有不同的能量分裂情形。如果『晶場』造成的『晶場穩定能』使此結構能量較低，則化合物會喜歡形成此特定結構。若晶場造成的『晶場穩定能』並不會使結構的能量較低，則配位化合物的幾何形狀由『VSEPR』來決定。

以配位化合物的『晶場論』來解釋，[Cu(NH3)4]2+ 的Cu(II)是3d9, 平面四邊形的晶場, 造成五個3d軌域分裂成四個能階，由低到高是(3dxz, 3dyz), (3dz2),(3dxy),  (3dx2-y2)，3d的9個電子填到(3dx2-y2)1。如此結構的能量比四面體結構穩定，所以常見的Cu(II)配位化合物是平面四邊形。

[Ni(NH3)4]2+很少見，通常Ni(II)與NH3形成八面體結構的[Ni(NH3)6]2+。Ni(II)會形成四面體結構的配位化合物通常是與Cl-, Br-等較弱晶場且較大體積的配位基鍵結時，由於這些配位基形成平面四邊形結構太擁擠，造成的『晶場穩定能』也不大，所以按照VSEPR理論，形成四面體結構。此外，Ni(II)若與強晶場的配位基，如：CN-，則形成平面四邊形的[Ni(CN)4]2-，顯示晶場造成的影響比VSEPR重要。